TMR效應(yīng)基于電子的自旋效應(yīng)，在磁性釘扎層和磁性自由層中間間隔有絕緣體或半導(dǎo)體的非磁層的磁性多層膜結(jié)構(gòu)，由于在磁性釘扎層和磁性自由層之間的電流通過(guò)基于電子的隧穿效應(yīng)，因此稱這一多層膜結(jié)構(gòu)稱為磁性隧道結(jié)（MTJ, Magnetic Tuunel Junction）。這種磁性隧道結(jié)在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴于兩個(gè)鐵磁層（磁性釘扎層和磁性自由層）磁化強(qiáng)度的相對(duì)取向。當(dāng)磁性自由層在外場(chǎng)的作用下，其磁化強(qiáng)度方向改變，而釘扎層的磁化方向不變，此時(shí)兩個(gè)磁性層的磁化強(qiáng)度相對(duì)取向發(fā)生改變，則可在橫跨絕緣層的的磁性隧道結(jié)上觀測(cè)到大的電阻變化，這一物理效應(yīng)正是基于電子在絕緣層的隧穿效應(yīng)，因此稱為隧道磁電阻效應(yīng)（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是說(shuō)TMR磁傳感器是利用磁場(chǎng)的變化來(lái)引起磁電阻變化，另一方面，我們可以通過(guò)觀測(cè)TMR磁傳感器的電阻變化來(lái)測(cè)量外磁場(chǎng)的變化。所以我們可以認(rèn)為TMR傳感器就是一個(gè)電阻，只是TMR傳感器的電阻值隨外加磁場(chǎng)值的變化，其阻值發(fā)生改變。

01TMR線性磁傳感器

02TMR電流傳感器

03TMR角度傳感器